Российские учёные создали плазму, способную изменить всю микроэлектронику

Российские учёные достигли значимого технологического прорыва, создав плотную и устойчивую плазму, способную служить источником экстремального ультрафиолетового (EUV) излучения. Это открытие может кардинально изменить подход к производству микроэлектроники нового поколения. Разработка была осуществлена в Институте ядерной физики имени Г. И. Будкера Сибирского отделения РАН — на базе уникального лазера, генерирующего непрерывный терагерцевый разряд.

EUV-излучение — ключевой инструмент современной фотолитографии, используемой при создании микросхем с наноразмерными структурами. Однако развитие микроэлектроники требует всё более коротких волн, и существующие технологии постепенно достигают своих пределов. В этом контексте российская установка предоставляет принципиально новые возможности, подчеркнули в институте.

Исследователям удалось добиться квазистационарного состояния плазмы, что стало возможным благодаря контролю над её объёмом и стабилизации за счёт импульсного излучения. По словам одного из авторов проекта, Виталия Кубарева, параметры плотности и размера плазмы уже соответствуют требованиям будущих литографических систем, что делает разработку практически применимой.

Учёные также планируют увеличить мощность установки в несколько раз, за счёт модернизации Новосибирского лазера на свободных электронах, способного формировать мощное терагерцевое излучение. В качестве рабочего газа будет использоваться ксенон — оптимальный элемент для получения EUV-спектра.

Следующим шагом станет миниатюризация установки. Исследователи намерены создать компактную систему на основе СВЧ-генераторов, излучающих в узком волновом диапазоне. Такие источники потенциально могут использоваться даже в космическом пространстве, что открывает новые горизонты для научных и промышленных применений.